XPS分析中样品荷电效应的校正
一般，用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用，使谱线发生位移，还会使谱锋展宽、畸变。
样品荷电问题非常复杂，一般难以用某一种方法彻底消除。在实际的XPS分析中，一般采用内标法进行校准。最常用的方法是用真空系统中最常见的有机污染碳的C 1s的结合能为284.6 eV，进行校准。当然，也有人在样品表面蒸镀Au或Pt等元素（BEAu4f7/2=84.0eV,BEPt4f7/2=71.1eV)，用金和Pt来做荷电校正；也有人将样品压入In片，用In来做校正；也有人将Ar离子注入到样品表面，用Ar2p来做校正。
所以，校正值常用C1s284.6 eV作为基准，因为方便快捷；当然，也可以用Au，Pt或者Ar来作为基准，因为它们比较稳定，不易被氧化，不过操作复杂。
实际测试分析过程中，也可以以稳定元素偏离标准数据手册的结合能值作为荷电效应的基准，比如SiO2中的Si2p，TiO2中的Ti2p，NaF中的Na1s。
不错谢谢 很好
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