再结晶为什么要弓出距离小于L时的这段时间为孕育期
同志们，兄弟们，你们说一下在再结晶是的晶界弓出形核的模型时，为什么要弓出距离小于L时的这段时间为孕育期，只有过了这段孕育期才算是形核，还有我觉得整段过程都是自发的 我不太却确定那个孕育期到底指什么，如果只看ΔG的话，整个过程的确都是自发的 杰诺 发表于 2012-5-21 19:26 static/image/common/back.gif我不太却确定那个孕育期到底指什么，如果只看ΔG的话，整个过程的确都是自发的
我也觉得，打我又感觉要发生迁移应该要有比较大的位相差，晶界的迁移率才能更大 在晶界弓出形核里面，要考虑位相差么？书上不是了一边位错密度高一边位错密度低嘛，还有，我不太懂为什么位错的密度决定于晶粒间的位相差，按书上的说法应该是位错密度越大位相差越大。这个可以通过两块方块格之间的拼接开机理解么，像书上124、125页上画的那样。如果那样理解的话，晶粒间位相差大位错密度的确高。 我就是那么理解的，你还可以把书上124那个图在无畸变时分别选两根线，把他们延长，相交的记角度越大，晶界角度会越大，位相差就会越大，我是这样理解的 我还是觉得，弓出的距离应该要形成大角度晶界才叫晶粒，之所以应该就是要形成大角度晶界把！不然就叫亚晶。但是这距离也太巧了吧！刚好是L。在老余书中还这样写过形核组成全部是或者部分是大角度晶界，核我想的唱反调，还有最想不清的就是老余还说，只要亚晶均匀长大，不管长到多大，都属于回复。真不知道老余怎么想的 这个应该比较容易理解的。单位体积储存能为Es，表面能为γ，则自由能变化为ΔG=-Es+2γ/r。一开始曲率半径是∞，推移到了半圆后曲率半径为L，那么半径从∞到L的过程中，ΔG都是在增大的，对吧，同时我们又保证这一过程中顺利发生的话必须有ΔG＜0，即必须在半圆处ΔG小于0，假如晶界推移过程中ΔG突然由小于0变为大于0，那么这个推移过程就停止了。形象的说拱出半圆的过程就是一个判定过程，成功了就能够顺利的开始形核，之后的ΔG一直小于0，假如没成功的话就胎死腹中了。。。这个相变的临界半径有些类似。
但是是不是一定无法形成半圆的时候就一定不能形核了呢，也不一定，系统内存在能量的涨落，这种能量的涨落将提供一定的能量使晶界顺利推移，使得其也有一定的概率度过孕育期。
不一定很准确，供参考。
RE: 再结晶
四叶草♂sunny 发表于 2012-5-22 19:30 static/image/common/back.gif这个应该比较容易理解的。单位体积储存能为Es，表面能为γ，则自由能变化为ΔG=-Es+2γ/r。一开始曲率半径是 ...
ΔG是先增大，后减小，如果假设半圆处ΔG小于0，那整个过程的ΔG就都小于0了，至少从数学上讲是这样的，
RE: 再结晶
664106635 发表于 2012-5-22 18:45 static/image/common/back.gif我还是觉得，弓出的距离应该要形成大角度晶界才叫晶粒，之所以应该就是要形成大角度晶界把！不然就叫亚晶。 ...
那样理解应该不太靠谱吧，巧合的很诡异啊。老余的那本书我没有，我不知道他老人家怎么讲回复的。还有如果只有亚晶长大，不行成等轴晶的话，应该就没有到再结晶阶段吧，只能算回复吧。 杰诺 发表于 2012-5-22 21:51 static/image/common/back.gif
ΔG是先增大，后减小，如果假设半圆处ΔG小于0，那整个过程的ΔG就都小于0了，至少从数学上讲是这样的，
嗯嗯，你的意思我明白，可是你假设的只是一种情形，那ΔG>0的情况你没有考虑，你不能因为存在全部过程都是ΔG<0这种可能就来说我们的这个“是否自发”的命题是自发的对吧，推移过程中如果出现了ΔG>0那就不能自发了，所以L是个分界线，只要大于L肯定自发，小于L的话说不定，可能自发可能不自发
页:
[1]
2