三个阶段分别为弹性阶段，塑性变形阶段和断裂阶段
弹性阶段为分子力的作用，塑形变形为位错的运动引起的，断裂是因为外力大于材料的抗拉极限
1为面心立方2为密排六方3为体心立方
多晶的弹性阶段和塑形变形阶段都和单晶不一样
易滑移阶段、线性硬化阶段、抛物线硬化阶段
1.
易滑移阶段 快速滑移阶段 抛物线硬化阶段
（1） 第一个阶段是易滑移阶段，第二个极端是线性硬化阶段，第三个阶段是动态回复阶段。
（2）第一个阶段为易滑移阶段，原因是该阶段只有单一的滑移系开动，滑移的总量主要通过新滑移面的开动，而不是靠原滑移面增加滑移量来实现，由于应力水平低，同一滑移面放出的位错间隔较大。
第二个阶段为线性硬化阶段，原因是随应力增大，有多个滑移系启动，主滑移系位错增殖，位错密度增加，其他滑移系启动，大量位错缠结，形成压杆位错，阻碍位错的继续运动，限制主滑移系的位错运动的自由程，以及位错间的短程相互作用，引起更大的硬化效应。
第三个阶段为动态回复阶段，原因是应力足够大时，螺型位错大量交滑移到别的滑移面，或者塞积群前的障碍在塞积群的高应力集中下被摧毁，从而使塞积位错群的高应力场得以松弛，硬化率下降。
（3）图1面心立方，图2体心立方，图3密排立方
（4）不同之处：多晶体的应力—应变曲线不会出现单晶的第一个阶段，而且其加工硬化率明显高于单晶体，细晶粒多晶体在形变开始阶段尤为明显。
原因： 多晶体的塑性形变，由于晶界的阻碍作用和晶粒之间的协调配合的要求，各晶粒不可能以单一滑移系动作而是多组滑移系同时作用。
1.图中所示的三个阶段依次为易滑移阶段，线性硬化阶段，抛物线硬化阶段。
2.三个阶段产生的原因分别为：
易滑移阶段：在单晶体中，当分切应力达到临界值以后，晶体开始产生滑移现象，并只有一组滑移系在运动。施加较小的应力就可以引起较大的变形。在这个阶段，硬化率（即斜率）比较小。
线性硬化阶段：随着应力不断增加，晶体开始产生多系滑移，并产生大量位错。位错交互作用，产生位错发团，形变抗力增加，阻碍位错运动，应力进一步上升，表现为硬化率增大。
抛物线硬化阶段：在高的应力作用下，位错塞积群的应力场被摧毁；或者位错发生攀移。位错密度降低，硬化率有所下降，呈抛物线变化。
3.一号曲线为FCC晶体。二号为BCC晶体。三号为HCP晶体。
4.由于多晶体存在晶粒间的协调变形和晶界的阻碍作用，每个晶粒都不可能进行单系滑移，而是几组滑移系共同运动，因此多晶体的硬化曲线中不可能出现单晶体硬化曲线的第一阶段（易滑移阶段）。并且多晶体的硬化曲线通常更陡，也就是说加工硬化率越大。{:4_108:}
1.易滑移阶段、线性硬化阶段、抛物线型硬化阶段
2.易滑移阶段：刚开始应力低，主要是单滑移，位错运动受到阻碍小，容易运动，这样会产生更多的位错，使得晶体产生大的应变，加工硬化率很低。
线性硬化阶段：随着应力的不断增大，单滑移开始向多滑移和交滑移转变，也可形成L-C不动位错，从而造成位错的塞积和缠绕，阻碍位错进一步运动，加工硬化率很高，且和应变量呈线性关系。
抛物线型阶段：位错塞积以后，要想继续运动就必须有足够高的应力，摧毁L-C不动位错，螺位错可以在它们的滑移面内避开障碍，不必与这些障碍发生强的交互作用，它们可以通过双交滑移返回原始滑移面。从而加工硬化速率降低，曲线呈抛物线型。
3. 1是面心立方晶体，2是体心立方晶体，3是密排六方晶体
4.多晶体加工硬化曲线一般不会出现易滑移阶段，而且加工硬化率比单晶体大。
（1）分别为易滑移阶段，线型加工硬化阶段，抛物线形加工硬化阶段
（2）第一部分为单系滑移（阻力小），第二阶段为多系滑移阶段（位错交互作用阻力大），第三阶段为交滑移阶段（螺型位错交滑移异号位错相吸消除，阻力小）
（3）1.BCC,2.FCC,3.HCP
（4）多晶体滑移没有易滑移阶段（位错开动多系滑移），并且起始应力比单晶体大，加工硬化率也比单晶体大。
太原理工 发表于 2013-1-12 17:34 static/image/common/back.gif
回复 看来我真是才疏学浅了 好像真的没咋见过啊 我一般见得比较多的就是常规的拉伸曲线 应力应变曲线
这个曲线叫做加工硬化曲线、、、
ygc 发表于 2013-1-25 11:57 static/image/common/back.gif
这个曲线叫做加工硬化曲线、、、
哦 原来如此 学习了 多谢
看高手解题 {:4_107:}