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PVD,vacuum evaporation, magetron sputtering, arc ion plating/deposition.
靶材蒸气流，表面凝固。简单，集合不紧，速度低，绕射性差。低熔点材料薄膜。
真空正交电磁场，螺旋线运动，电子云环绕阳离子，等离子体，阳离子轰击靶材（负压），溅射离子沉积基片。沉积率升，致密度增，导体/半导体。离化率低，轰击基片不强。
引弧（类电焊），弧斑（磁场）运动，高温高压，离化气体，袭击（电场力）。离化率高100，沉积速率大，轰击剧烈，致密结合好。大颗粒（高温撞击）影响镀膜质量。