本帖最后由 刘沐 于 2015-6-2 13:23 编辑
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一、选择题： 1、所谓真空，是指：（ ） A、一定的空间内没有任何物质存在； B、一定空间内气压小于1个大气压时，气体所处的物理状态； C、一定空间内气压小于1 MPa时，气体所处的物理状态； D、以上都不对
2、以下关于CVD特点的描述，不正确的是：（ ） A、与溅射沉积相比，CVD具有更高的沉积速率； B、与PVD相比，CVD沉积绕射性较差，不适于在深孔等不规则表面镀膜； C、CVD的沉积温度一般高于PVD方法； D、CVD沉积获得的薄膜致密、结晶完整、表面平滑、内部残余应力低
3、关于气体分子的平均自由程，下列说法不正确的是：（ ） A、气压越高，气体分子的平均自由程越小； B、真空度越高，气体分子的平均自由程越长； C、温度越高，气体分子的平均自由程越长； D、气体分子的平均自由程与温度、压力无关，取决于气体种类
4、下列PECVD装置中，因具有放电电极而存在离子轰击、弧光放电所致的电极损坏潜在风险和电极材料溅射污染薄膜问题的是：（ ） A、电容耦合型； B、电感耦合型； C、微波谐振型； D、以上都不对
5、按真空区域的工程划分，P = 10-4 Pa时，属于（ ）区域，此时气体分子的运动以（ ）为主。 A、粗真空； B、低真空； C、高真空； D、超高真空；
E、粘滞流； F、分子流； G、粘滞-分子流 H、Poiseuille流
6、下列真空计中，（ ）属于绝对真空计。 A、热偶真空计； B、电离真空计； C、Pirani真空计； D、薄膜真空计
7、CVD沉积薄膜时，更容易获得微晶组织薄膜的方法是：（ ） A、低温CVD； B、中温CVD； C、高温CVD； D、以上都不对
8、下列真空泵中，（ ）属于气体输运泵。 A、旋片式机械泵； B、油扩散泵； C、涡轮分子泵； D、低温泵
9、低温CVD装置一般指沉积温度 <（ ）的CVD装置。 A、1000℃； B、500℃； C、900℃； D、650℃
10、下列关于镍磷镀技术的说法中，正确的是：（ ） A、所获得的镀层含有25wt%左右的P而非纯Ni，所以也称NiP镀； B、低P含量的镍磷镀镀层致密，硬度可达到与电镀硬Cr相当的水平； C、高P含量的镍磷镀镀层无磁性； D、可直接在不具有导电性的基体上镀膜
11、关于LPCVD方法，以下说法中正确的是：（ ） A、低压造成沉积界面层厚度增加，因此薄膜沉积速率比常压CVD更低； B、低压造成反应气体的扩散系数增大； C、低压导致反应气体的迁移运动速度增大； D、薄膜的污染几率比常压CVD更低
12、气相沉积固态薄膜时，根据热力学分析以下说法中不正确的是：（ ） A、气相过饱和度越大，固态新相形核能垒越低； B、气相过饱和度越大，固态新相形核能垒越高； C、气相过饱和度越大，固态新相临界晶核尺寸越大； D、固态新相的形核能垒和临界晶核尺寸只取决于沉积温度（过冷度）
13、溅射获得的气相沉积原子是高能离子轰击靶材后，二者通过级联碰撞交换能量的结果，因此入射离子能量（ ）时更容易发生溅射现象。 A、极高； B、极低； C、适中； D、固定不变
14、薄膜-基片间浸润性较差时，薄膜往往以（ ）模式生长。 A、岛状； B、层状； C、层状-岛状； D、随机
15、以下关于闪烁蒸发技术的描述，正确的是：（ ） A、其蒸发温度和电阻加热蒸发相近； B、不存在沉积物成分偏离蒸发材料成分的问题； C、由于可使材料瞬间蒸发，因而可以沉积高熔点难蒸发材料如W、Mo、石墨等； D、蒸发过程中大量释放气体，易导致“飞溅”
16、在简单二极直流辉光放电系统中，从阴极到阳极会出现一系列明暗交替的辉光区和暗区，其中（ ）是二次电子和离子的主要加速区，该区域内的压降占整个放电电压的绝大部分，而其后的（ ）是正离子、电子浓度最高和辉光最强区。 A、阿斯顿暗区； B、阴极暗区； C、法拉第暗区； D、阳极暗区； E、阴极辉光区； F、负辉光区； G、正辉光区； H、阳极辉光区
17、下列蒸发物质中：（ ）属于易升华材料；（ ）能够在1000℃以下温度实现蒸发；蒸发温度最高的是（ ）。 A、Ti； B、Al； C、Zn； D、W； E、石墨； F、Mo； G、Co； H、Cu
18、溅射产额是指：（ ） A、单位时间内，从单位面积靶材中溅射出的原子个数； B、平均每个正离子轰击靶材时，可从靶材中溅射出的原子个数； C、单位体积靶材在单位时间内发射的原子数； D、薄膜表面上单位面积上平均接收到的靶材原子个数
19、以下关于薄膜内应力的说法中，正确的是：（ ） A、过高的拉应力往往使薄膜局部开裂、脱落； B、过高的压应力往往使薄膜局部起皱、剥落； C、内应力主要源自于热应力和生长应力； D、热应力只可能是拉应力状态
20、薄膜的附着力与薄膜材料、基片材料的表面能及膜-基界面间的界面能有关，以下说法中正确的是：（ ） A、薄膜材料的表面能越高，薄膜的附着力越高； B、基片材料的表面能越高，薄膜的附着力越高； C、膜-基界面间的界面能越高，薄膜的附着力越高； D、膜-基界面间的界面能越低，薄膜的附着力越高
21、沉积（ ）薄膜时，更容易获得非晶薄膜。 A、纯金属； B、合金； C、无机化合物； D、非金属单质
22、Ar+ 的入射角 q =（ ）时，其溅射产额最高。 A、90℃（垂直于靶面）； B、45℃； C、80℃； D、60℃
23、用石墨作为待蒸发物质沉积碳薄膜，宜采用的蒸发方法是：（ ） A、电阻加热蒸发； B、闪烁蒸发； C、电弧放电加热蒸发； D、以上都不对
24、根据新相自发形核理论，以下条件下中可提高临界核心面密度的是：（ ） A、提高气相压力； B、降低气相压力； C、提高沉积温度； D、固定气相压力和沉积温度不变
25、入射离子能量E 满足（ ）的条件时，溅射产额大致正比于E2。 A、E < 150 eV； B、E = 150-104 eV； C、E > 104 eV； D、E > 105 eV
26、PECVD一般工作温度低于500℃，所以属于（ ）CVD装置。 A、低温； B、中温； C、高温； D、常温
27、以下真空计中，更适合气体有腐蚀性的真空系统压力测量的是：（ ） A、电离真空计； B、热偶真空计； C、薄膜真空计； D、皮拉尼真空计
28、（ ）主要采用强非金属性元素的氢化物和金属烷基化合物作为原料气体。 A、MOCVD； B、LPCVD； C、PECVD； D、普通CVD
29、以下关于PECVD的说法中，正确的是：（ ） A、PECVD沉积薄膜的质量优于传统CVD； B、PECVD的设备成本较高； C、PECVD属于低温沉积，所获薄膜内应力小、不易破损； D、PECVD在工业领域应用的广泛程度已超过各种普通CVD方法。
30、气压P = 8.0×10-7 torr时，相当于P = （ ）Pa、（ ）atm或（ ）bar，此时的真空状态属于（ ）区域，气体分子运动具有（ ）特征。 A、1.07×10-4； B、6.00×10-9； C、1.05×10-9； D、6.08×10-4； E、1.07×10-9； F、6.00×10-4； G、粗真空； H、低真空； I、高真空； J、超高真空； K、分子流； L、粘滞流； M、粘滞-分子流 N、以上都不对
31、（ ）是指在含有金属离子的溶液或熔盐中通直流电，使阳离子在阴极表面放电，从而在作为阴极的基片表面还原出金属，获得金属或合金薄膜的沉积方法，根据法拉第电解定律，利用CuSO4溶液作为电解质，要在基片上析出16 g重的纯Cu膜理论上至少需要（ ）库仑的电量（已知Cu的摩尔质量为64 g/mol）。 A、阳极氧化； B、镍磷镀； C、电镀； D、微弧氧化 E、24125； F、48250； G、96500； H、193000
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