已知位错环A’B’C’D‘的伯氏矢量为b，外应力为て和σ，如图中所示。试求： 1．  位错环的各边分别是什么性质的位错? 2．  在足够大的切应力て的作用下，位错环如何运动?晶体如何变形? 3．  在足够大的正应力σ的作用下，位错环如何运动?晶体如何变形?

参考答案：1. 由位错线和b之间的关系，可以判断：：A’B’是右螺型位错，C’D’是左螺型位错，B’C’是正刃型位错，D’A’是负刃型位锗(判断螺型或刃型即可)。

          2．在て的作用下，位错环下部分晶体将沿b的方向运动，上部分晶体则反向运动。这样将导致位错环的各边向环的外侧运动，从而导致位错环的扩大。当位错环滑动出晶体后，晶体的上下部分将会沿b的方向产生一个|b|大小的台阶。

   3．在σ的作用下，位错环中最终B’C’沿垂直滑移面向下运动，D’A’沿垂直滑移面向上运动，位错的半原子面将扩大，而A’B’和C’D’两条螺型位错不会产生攀移，故不动。当位错环滑动出晶体后，晶体的形状不变，但沿b方向的厚度增加。

第十三期优秀学员名单：aegeansea sky 20091535zc 笑冰6 蓬勃 追梦1 冰释

aegeansea：

1.根据位错线与柏氏矢量垂直与平行的关系可以判断刃型位错和螺型位错，根据柏氏矢量与位错线的方向关系又可以区分正负刃型位错和左右螺型位错。所以题中A'D'为负刃型位错，C'B'为正刃型位错，D'C'为左螺型位错，B'A'为右螺型位错。
2.在足够大的切应力的作用下位错环将不断扩大，最终晶体在沿着柏氏矢量b的方向发生一个位移量为b的小台阶。
3.在足够大的正应力的作用下，由于A'D'为负刃型位错其半原子面在滑移面的下方，正应力足够大时半原子面将会上移，表现为A'D'向滑移面的上方攀移；C'B'为正刃型位错，半原子面在滑移面的上方，在正应力的作用下发生负攀移，半原子面向下攀移，表现为C'B'向滑移面的下方攀移；而B'A'、D'C'为螺型位错不能发生攀移只能滑移，所以在足够大的正应力的作用下还是保持原来形态。

20091535zc：

1.A'D'为负刃型位错，D'C'为左螺，C'B'为正刃型，B'A'为右螺。 2.切应力下位错环扩大。晶面沿应力方向发生滑移，位错环扩大至整个晶面时产生一个b的滑移台阶。 3.拉应力下刃型位错发生攀移，A'D'向上，B'C'向下。晶体好像会沿b方向发生膨胀吧。 追梦1 （1）A'D'负刃型位错C'B'正刃型位错B'A'右螺型位错，D'C'左螺型位错 （2）在足够大的切应力的作用下位错环将不断扩大，最终晶体在沿着柏氏矢量b的方向发生一个位移量为b的小台阶。 （3）在足够大的正应力的作用下，由于A'D'为负刃型位错其半原子面在滑移面的下方，正应力足够大时半原子面将会上移，表现为A'D'向滑移面的上方攀移；C'B'为正刃型位错，半原子面在滑移面的上方，在正应力的作用下半原子面向下攀移，表现为C'B'向滑移面的下方攀移；而B'A'、D'C'为螺型位错不能发生攀移只能滑移不动

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大赞，感觉此处云集咱大中华未来材料之星啊。很少其他行业又像材料行业有这样专业又公益的交流之处。有材料行业的博大精深，更有广大材料人的薪火相传！