均匀形核与非均匀形核

    (1) 均匀形核（homogeneous nucleation）：从液态内部由金属本身原子自发长出结晶核心的过程叫做自发形核，形成的结晶核心,又称为自发晶核。

(2)非均匀形核（heterogeneous nucleation）：非自发形核 依附于杂质而生成晶核的过程叫做非自发形核，形成的结晶核心,又称为非自发晶核。        

    非均匀形核率与均匀形核率对比

  （1）非均匀形核时，临界球冠的曲率半径与均匀形核时球形晶核的半径是相等的。即二者临界半径相等。

  （2）非均匀形核时的形核率表达式与均匀形核相似。由于G*非＜⊿G*均，非均匀形核更容易，在较小的过冷度下可获得较高的形核率，因为，f (θ)<1，故θ越小，越易形核。

  （3）由于大量靠背的存在，非均匀形核率总比均匀形核的形核率要高得多。非均匀形核的最大形核率小于均匀形核。

  （4）随过冷度的增大,形核速度值由低向高过渡较为平衡；均匀形核随过冷度的增大形核速度达到最大后，曲线就下降并中断。

均匀形核与非均匀形核

    (1) 均匀形核（homogeneous nucleation）：从液态内部由金属本身原子自发长出结晶核心的过程叫做自发形核，形成的结晶核心,又称为自发晶核。

(2)非均匀形核（heterogeneous nucleation）：非自发形核 依附于杂质而生成晶核的过程叫做非自发形核，形成的结晶核心,又称为非自发晶核。        

    非均匀形核率与均匀形核率对比

  （1）非均匀形核时，临界球冠的曲率半径与均匀形核时球形晶核的半径是相等的。即二者临界半径相等。

  （2）非均匀形核时的形核率表达式与均匀形核相似。由于G*非＜⊿G*均，非均匀形核更容易，在较小的过冷度下可获得较高的形核率，因为，f (θ)<1，故θ越小，越易形核。

  （3）由于大量靠背的存在，非均匀形核率总比均匀形核的形核率要高得多。非均匀形核的最大形核率小于均匀形核。

  （4）随过冷度的增大,形核速度值由低向高过渡较为平衡；均匀形核随过冷度的增大形核速度达到最大后，曲线就下降并中断。