我是西工大本科生，现在在做毕业设计。是做ITO薄膜方向的。按照老师给的实验方案是在C-C复合材料块状试样上刷硅涂层，然后1450℃烧制半小时形成SiC涂层，然后经过400、450、500℃马弗炉热处理氧化15min使涂层氧化生成SiO2。但是我印象中SiC的氧化条件是高温。在1000摄氏度以下几乎是不会发生氧化的吧？想问问各位大大老师给的这个实验方案真的没问题吗？带我的研究生师姐说这样做出来在电镜下应该能看到有三层不同的组分，分别是外层的SiO2，中间的SiC和内层的C/C复合材料。但是我在电镜下观察只能看到有两层。是不是在这三个温度和时间条件下没办法氧化生成SiO2啊？
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