本帖最后由 箜小天 于 2017-7-1 11:33 编辑
细心的楼主先给大家介绍一下半导体材料的发展代际:第一代半导体材料主要是指硅、锗元素半导体材料， 第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体(又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。 第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。 和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev）,也称为高温半导体材料。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体作为第二代半导体材料在太阳能电池、LED中都有所应用，这里小天给各位材料人分享几本讲解相关基础理论知识的书籍，希望对大家有所裨益。
一、《III-V Compound Semicouductor》By Tingkai_Li,Michael_Mastro
二、《III-V Semiconductor Materials and Devices》
三、《III-V Semiconductor—Growth of Binary III-V Semiconductors from Metallic Solutions》 By Klaus-Werner Benz and Elisabeth Bauser
简介：本书是《III-V Semiconductor》系列书籍的第七册，主要讲解了从金属溶液中生长二元III-V族半导体的方法。包括制备块体单晶材料、薄层单晶材料的方法和操作。
四、《III-V半导体MOSFET基础》By Serge_Oktyabrsky,Peide_Ye等
简介：本书介绍了以III-V半导体为材料的MOSFET器件的结构和制造。全书包括十四个章节，内容十分丰富。
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