低真空二次电子探测器特性原理
本帖最后由 小柒啊 于 2017-7-2 22:11 编辑扫描电镜作为一个综合成像分析平台，具有很多附件可以选购，实现不同的成像和分析目的。每种附件价的价格动辄上万美金，因此对其性能和原理有些基本了解，是必要的，以便于根据需要选购。
过去扫描电镜在低真空模式下，基本都用价格便宜的环形半导体固体背散射电子探测器,采集背散射电子信号，观察样品，由于图像形貌反差缺陷，后来发展了背散射信号（TOPO)拓扑模式，即按照空间顺序，将信号对称分割，分别采集，然后相对信号进行运算，模拟出比较真实的形貌图像，但图像增加了一些其他人工假象，与实际样品形貌依然有差距。在这种情况下，低真二次电子探测器有机会发展。
随着低真空扫描电镜的发展，早已经研制出了在增加的压力下可以选择的二次电子探测器。由于传统E-T型二次电子探测器，为提高二次电子信号转化率需要使用高压，没法在低真空下运行，为了在低真空环境下获得真实表面形貌像，低真空二次电子探测器是必要的。
JEOL最近推出低真空二次电子探测器，相对他们的背散射电子探测器，可在高的扫描速度下提供增强的性能，取得更高的信号收集效率。编
为什么选择低真空二次电子探测器成像，而不是背散射电子BSE？ 考虑到电子束样品作用区，二次电子相对背散射电子，在提供精细表面形貌细节的同时，还能够给出更高的空间分辨率。尤其低原子序数材料，相对用BSE成像，作用区差距更大，更明显。
半导体固体背散射电子图像【药片的药物和表面涂层界面】低真空二次电子图像
而且，当用于包含高原子序数和低原子序数的不均匀材料时，用Bse成像，成分反差占主导地位。为了观察精细的形貌，LVSED成像可以补充BSE图像的缺陷。
BSE 图像[在硅片上的金丝焊脚] SE 图像
低真空二次电子探测器 （LVSED）是基于气体的放大探测器。从样品作用区发射的二次电子，在探测器电场作用下，向LVSED加速，在这个过程中，二次电子和样品室中的气体作用，产生更多电子，由此放大了SE信号，信号量越大，图像信噪比越高。
LVSED在含水或油样品中的应用,观察精细表面形貌。
砂岩上的原油(一般配合帕尔贴效应冷冻台，在较低的温度下进行观察)，左边背散射电子图像，右边LVSED图像
（液氮制冷样品台）LVSED图像，左- 蔬菜根 右-海藻
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