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低真空二次电子探测器特性原理

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本帖最后由 小柒啊 于 2017-7-2 22:11 编辑

    扫描电镜作为一个综合成像分析平台,具有很多附件可以选购,实现不同的成像和分析目的。每种附件价的价格动辄上万美金,因此对其性能和原理有些基本了解,是必要的,以便于根据需要选购。
      过去扫描电镜在低真空模式下,基本都用价格便宜的环形半导体固体背散射电子探测器,采集背散射电子信号,观察样品,由于图像形貌反差缺陷,后来发展了背散射信号(TOPO)拓扑模式,即按照空间顺序,将信号对称分割,分别采集,然后相对信号进行运算,模拟出比较真实的形貌图像,但图像增加了一些其他人工假象,与实际样品形貌依然有差距。在这种情况下,低真二次电子探测器有机会发展。

       随着低真空扫描电镜的发展,早已经研制出了在增加的压力下可以选择的二次电子探测器。由于传统E-T型二次电子探测器,为提高二次电子信号转化率需要使用高压,没法在低真空下运行,为了在低真空环境下获得真实表面形貌像,低真空二次电子探测器是必要的。

       JEOL最近推出低真空二次电子探测器[LVSED],相对他们的背散射电子探测器,可在高的扫描速度下提供增强的性能,取得更高的信号收集效率。编


         为什么选择低真空二次电子探测器成像,而不是背散射电子BSE? 考虑到电子束样品作用区,二次电子相对背散射电子,在提供精细表面形貌细节的同时,还能够给出更高的空间分辨率。尤其低原子序数材料,相对用BSE成像,作用区差距更大,更明显。



                                                                半导体固体背散射电子图像【药片的药物和表面涂层界面】  低真空二次电子图像        
而且,当用于包含高原子序数和低原子序数的不均匀材料时,用Bse成像,成分反差占主导地位。为了观察精细的形貌,LVSED成像可以补充BSE图像的缺陷。

BSE 图像[在硅片上的金丝焊脚]   SE 图像




低真空二次电子探测器 (LVSED)是基于气体的放大探测器。  从样品作用区发射的二次电子,在探测器电场作用下,向LVSED加速,在这个过程中,二次电子和样品室中的气体作用,产生更多电子,由此放大了SE信号,信号量越大,图像信噪比越高。

LVSED在含水或油样品中的应用,观察精细表面形貌。

砂岩上的原油(一般配合帕尔贴效应冷冻台,在较低的温度下进行观察),左边背散射电子图像,右边LVSED图像


(液氮制冷样品台)LVSED图像,左- 蔬菜根   右-海藻




小柒啊

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