2015年浙江大学836《材料科学基础》考研真题再现一 填空题(每空2分,一共30分) 1 玻璃的假想温度:淬火高,退火低 2 描述非晶态金属最成功的模型是:硬球无规密堆模型 3 硫系半导体的特点: 4 原子的扩散时,经过:简单立方 点阵,扩散系数是a2F1/6 5 长光学纵波频率:大于 长光学横波频率 6 声子是什么 7 微观对称要素:滑动面,螺旋轴 8 给你个六元环结构,问你判据值是:1,结构为:六元环结构 9 高分子晶体属于:分子晶体 类型 10 左右螺型位错在相同力的作用下,其位错运动方向:向相反且垂直于作用力 的方向运动 二 解析题(一共五题,每题24分,总分120分)1 根据泡林规则分析MgO晶体。 (1)确定正负离子的配位数,并确定MgO结构以及画出图? (2)计算MgO的晶体密度? (3)计算MgO晶体堆积系数? 其中:Mg半径=0.66A,O半径=1.32A,Mg的摩尔质量:24.3,O的摩尔质量:16。 2 对一种BCC的钢在氮气中进行渗碳处理,通常需要在600度(873K)下2个小时完成。 (1)如果现在想改变温度在1小时内完成,则渗碳温度需要控制为多少? (2)如果氮气浓度为2%,试计算在600度(873K)下2小时处理后钢在表面下0.05cm 处氮气的含量? 气体常数R=1.987cal/mol k,扩散常数D0=0.0047 cm2/sec,激活能=18300 cal/mol 。 3 一种铜的典型位错密度为106 cm/cm3,如果存在1000g这样的铜。 (1)试求出这块铜内位错线总长度? (2)试给出这种铜内位错线总长度随铜块(重量)增大的关系式并画出相应的关系图? 其中:(铜的密度:8.93 g/cm3) 4 MgF2和LiF是两种不同的材料。MgF2为金红石结构,LiF为NaCl结构,其中RMg=0.65A,RLi=0.68A,因此,Mg可以溶在LiF中,Li也可以溶在MgF2中。 (1)分别写出Mg溶在LiF和Li溶在MgF2中缺陷反应方程? (2)确定分别形成了什么缺陷?并写出掺杂后的分子表达式? (3)若在LiF和MgF2分别加入5% mol的MgF2和LiF,试计算两种掺杂后的晶体密度? 并与掺杂前对比密度增加还是减少了多少? 其中:MgF2 的a=4.64A,C=3.06A;LiF a=4.0279A;Li摩尔质量:6.941;Mg摩尔质量:24.305;F摩尔质量:18.9984;阿伏伽德罗常数:6.023*1023 5 是课本251页的第二题。他给出了光学支的最大频率。 (1)恢复力常数? (2)光学支最小频率? (3)声学支最大频率? (4)声学支最小频率?
转自浙大考研论坛
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