使用精工原子力显微镜做电流成像的一些问题
相关问题：

我这里有两台SPA400和环境SPA300HV.试过很多种探针，Au coated SI-DF3-A,SI-AF01-A; Pt coated Multi75E；Rh coated SI-DF3-R,但是只能在HOPG上测出I-V,我要测试的样品是“重掺杂硅超薄氧化层(DHF处理得到的)上的单分子层垂直方向导电性” 是不是探针不适合？还是样品导电性问题？形貌图也很垃圾，有没有有经验的同学，恳请赐教。



参考回答：

按照你说的情况，我觉得既然能在hopg上测量出I-V，则探针肯定是导电的，具体导电性如何，则需要看看I-V曲线，你最好能发张图上来看看；在你的样品上测得不好。我估计有以下原因：

1.扫描参数没有控制好，因为你说形貌图像也很垃圾，如果形貌图都测不好的话，电流图像自然也不会好。首先用普通模式测量，先确保形貌图正确，然后再测量导电性。

2.样品的导电性不好，或者时样品与测量电路的接触不好。此时，可以先用万用表先测量样品与测量电路的接触部分。

3.探针与样品之间的接触不好。由于针尖尖端的曲率半径很小，且镀膜的均匀性也很难保证，所以在扫描的时候，针尖与样品之间就很可能存在接触不好的情况，此时自然也就测量不到导电性。遇到这种情况，在确定针尖，样品的导电性良好的情况下，可以增大设置点，即增加针尖与样品之间的作用力，增大针尖与样品之间的接触面积，这样测量电流的时候会容易一点。

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按照你说的情况，我觉得既然能在hopg上测量出I-V，则探针肯定是导电的，具体导电性如何，则需要看看I-V曲线，你最好能发张图上来看看；在你的样品上测得不好。我估计有以下原因：

1.扫描参数没有控制好，因为你说形貌图像也很垃圾，如果形貌图都测不好的话，电流图像自然也不会好。首先用普通模式测量，先确保形貌图正确，然后再测量导电性。

2.样品的导电性不好，或者时样品与测量电路的接触不好。此时，可以先用万用表先测量样品与测量电路的接触部分。

3.探针与样品之间的接触不好。由于针尖尖端的曲率半径很小，且镀膜的均匀性也很难保证，所以在扫描的时候，针尖与样品之间就很可能存在接触不好的情况，此时自然也就测量不到导电性。遇到这种情况，在确定针尖，样品的导电性良好的情况下，可以增大设置点，即增加针尖与样品之间的作用力，增大针尖与样品之间的接触面积，这样测量电流的时候会容易一点。